型号：PMWD30UN
　　极性：P沟道
　　漏源电压(VDSS)：-30V
　　连续漏极电流(ID)：-2.3A (TA=25°C)
　　脉冲漏极电流(IDM)：-6A
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　功耗(PD)：1W (TA=25°C)
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：65mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：420pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：180pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-963

PMWD30UN具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻（RDS(on)），即使在低栅极驱动电压条件下也能保持较低的导通损耗。例如，在VGS = -4.5V时，其典型RDS(on)仅为55mΩ，这使得它非常适合用于由3.3V或更低电压系统直接驱动的场合，无需额外的电平转换或升压电路，简化了电源架构设计。器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，显著提高了载流子迁移率并降低了单位面积的导通电阻，从而提升了整体效率。此外，该器件具有快速开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频开关应用如DC-DC转换器或同步整流电路。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。尽管封装尺寸非常小巧（SOT-963），但通过优化芯片布局和封装材料，PMWD30UN能够有效传导热量，确保在高负载条件下仍能维持可靠运行。其最大功耗可达1W（在25°C环境温度下），结合合理的PCB散热设计（如增加铜箔面积或使用热过孔），可在较高环境温度下持续工作。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，增强了在瞬态过压或负载突变情况下的耐受性。
　　PMWD30UN还内置了一定程度的ESD保护机制，能够承受人体模型（HBM）下高达±2000V的静电放电冲击，提升了在生产和组装过程中的鲁棒性。同时，其阈值电压范围适中（-1.0V至-2.0V），避免了因噪声干扰导致误开启的问题，提高了系统稳定性。总体而言，这款P沟道MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，特别适用于需要紧凑设计和高效能表现的现代电子产品。

PMWD30UN常被用于各类便携式电子设备中的电源开关和负载管理模块，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等。在这些应用中，它通常作为高端开关（high-side switch）来控制电池到主系统的供电通断，实现待机模式下的零功耗或低功耗状态。由于其P沟道结构无需复杂的自举电路即可完成高压侧驱动，相较于N沟道MOSFET在某些应用场景中更具设计便利性。
　　此外，该器件广泛应用于电池保护电路（Battery Protection Circuit Module, BPCM），与专用保护IC配合使用，用于防止过充电、过放电和短路等情况下的电流反向流动或异常放电。在这种配置中，PMWD30UN通常与另一颗MOSFET组成背对背连接结构，分别控制充电和放电路径的通断，确保电池安全。
　　在DC-DC转换器中，特别是降压（Buck）变换器的同步整流拓扑中，PMWD30UN也可作为上管使用，尤其是在输入电压较低（如5V或以下）的系统中。虽然N沟道MOSFET在同步整流中更为常见，但在特定低功率、低成本设计中，P沟道器件因其驱动简单而受到青睐。
　　其他典型应用还包括电机驱动中的H桥低端开关、LED背光驱动电路中的电流控制开关、USB端口的电源隔离以及各类嵌入式系统的电源多路复用与冗余切换功能。凭借其小尺寸封装和高集成度特点，PMWD30UN非常适合高度集成的消费类电子产品的电源管理需求。

AO3415
　　Si2301DS
　　FDMC86263