型号：SPMWHT541MD5WAPMS3
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　产品类型：MOSFET
　　通道类型：P-Channel
　　漏源电压（VDS）：-20 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8 A
　　脉冲漏极电流（ID_pulse）：-3.6 A
　　功耗（Ptot）：500 mW
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = -4.5 V：35 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = -2.5 V：48 mΩ
　　阈值电压 VGS(th)：-0.8 V ~ -1.5 V
　　输入电容 Ciss：230 pF
　　输出电容 Coss：190 pF
　　反向传输电容 Crss：45 pF
　　栅极电荷 Qg（总）：4.5 nC
　　开启延迟时间 td(on)：7 ns
　　关断延迟时间 td(off)：12 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70

SPMWHT541MD5WAPMS3 采用先进的沟槽栅极工艺，提供极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗并提高整体能效。该器件的 RDS(on) 在 -4.5V 和 -2.5V 的栅极驱动电压下分别仅为 35mΩ 和 48mΩ，这使其非常适合用于低电压、高效率的同步整流和负载开关应用。其 P 沟道结构允许在高端开关配置中简化驱动电路设计，无需额外的电荷泵或自举电路，进一步降低了系统复杂性和成本。
　　该器件具有快速的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg = 4.5nC）和米勒电容（Crss = 45pF），能够支持高频 PWM 控制，在 DC-DC 变换器中实现更高的动态响应和更小的外部滤波元件尺寸。同时，其输入电容仅为 230pF，有助于减少驱动 IC 的负载，提升整体系统的稳定性与效率。
　　PowerPAK SC-70 封装不仅体积小巧（典型尺寸约 2mm x 1.25mm），还具备优异的散热性能，通过底部裸露焊盘有效传导热量至 PCB，增强长期运行的可靠性。这种封装方式也提高了功率密度，适用于空间受限的便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。
　　该器件的工作结温可达 +150°C，具备良好的热稳定性和过载承受能力。其阈值电压范围为 -0.8V 至 -1.5V，确保在不同工作条件下均能可靠开启，避免误触发。此外，所有参数均经过严格测试，并在宽温度范围内保持一致性，保证了在各种环境下的稳定性能表现。

SPMWHT541MD5WAPMS3 广泛应用于需要高效、小型化电源解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式电池供电设备中的电源开关与负载管理，例如智能手机、蓝牙耳机和智能手表等产品中的电池隔离与节能控制。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件可用作同步整流器或高端开关，尤其适用于低输入电压（如 3.3V 或 5V）的降压（Buck）变换器拓扑结构，帮助提升转换效率并减少发热。其快速开关特性也有利于实现高频率操作，从而减小外围电感和电容的尺寸，优化整体布局。
　　此外，它还可用于电机驱动电路中的 H 桥低端开关，或作为保护电路中的过流切断开关。在工业传感器、IoT 终端节点和 USB 电源管理接口中，该 MOSFET 可作为理想的电源通断控制元件，实现按需供电以延长电池寿命。
　　由于其符合 RoHS 和无卤素标准，该器件也被广泛用于对环保要求较高的消费类电子产品和汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐系统的局部电源控制。其高可靠性与耐久性使其成为多种嵌入式控制系统中不可或缺的核心功率元件。

Si3456EDV-T1-E3
　　DMG2305UX