PMV90EN 时间：2025/9/15 1:13:07 阅读：11

PMV90EN是一款由NXP Semiconductors生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效能和高可靠性的功率转换和控制应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于诸如电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等场景。PMV90EN采用SOT223封装形式，具备良好的热管理和小型化设计，使其适用于空间受限的应用环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　连续漏极电流(Id)：4.6A（在Tc=25°C）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：1.5V至2.5V
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.095Ω（在Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：1.6W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：SOT223

特性

PMV90EN的沟槽式结构提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，其低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关性能，从而降低了开关损耗，适用于高频操作场景。
　　该器件的SOT223封装形式具有出色的散热性能，同时保持了紧凑的尺寸，适用于高密度电路板设计。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于现代电子制造流程。
　　PMV90EN具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐久性。同时，其优化的体二极管恢复特性也有助于减少反向恢复损耗，使其适用于高要求的功率转换应用。
　　该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适应了各种环境条件下的应用需求，包括汽车电子、工业自动化和消费类电子产品等。

应用

PMV90EN广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、电机控制电路以及工业自动化系统。其高效能和高可靠性的特性使其特别适用于汽车电子中的功率控制模块，例如车载充电系统、LED照明驱动和电动助力转向系统等。
　　由于其低导通电阻和良好的热管理能力，该器件也常用于高密度电源设计，如小型电源适配器、USB PD充电器和高效能电池管理系统。此外，在电机驱动和继电器替代方案中，PMV90EN能够提供稳定可靠的功率控制性能，适用于智能家电和工业控制设备。