类型：N 通道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：55 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@ 25°C：180 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：720 A
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = 10 V：3.4 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V：4.7 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：10200 pF
　　反向恢复时间（trr）：39 ns
　　最大工作结温（Tj）：175 °C
　　封装：D2PAK (TO-263)
　　安装类型：表面贴装

BUK7520-55 的核心优势在于其极低的导通电阻与高电流承载能力的结合，这使得它在大功率开关应用中表现出色。其 RDS(on) 在 VGS = 10 V 时仅为 3.4 mΩ，在同类 55V 器件中处于领先水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统能效。该器件采用 NXP 的先进 TrenchMOS 工艺，实现了更优的载流子迁移率和更低的晶格电阻，从而在保持小芯片尺寸的同时提升了电气性能。
　　此外，BUK7520-55 具备出色的热性能，其 D2PAK 封装支持高效的散热路径，允许器件在高负载条件下长时间运行而不会过热。该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）典型值为 115 nC，较低的 Qg 意味着驱动电路所需的能量更少，有助于减少驱动损耗并提高开关频率，适用于高频 PWM 控制应用。
　　在可靠性方面，BUK7520-55 经过严格的雪崩测试，具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时保护自身不被击穿。其高 dv/dt 抗扰度可防止在快速开关过程中因电压突变引起的误触发。同时，该器件的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 39 ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），从而降低了开关过程中的尖峰电流和电磁干扰（EMI）。
　　BUK7520-55 还具备良好的温度稳定性，其 RDS(on) 随温度上升的增长率相对平缓，确保在高温环境下仍能维持较高的效率。该器件支持并联使用，多个 BUK7520-55 并联可进一步提升系统电流处理能力，且由于其参数一致性高，均流特性良好。总体而言，BUK7520-55 是一款面向高性能电源系统的理想选择，兼顾了效率、功率密度和可靠性。

BUK7520-55 广泛应用于各类高效率电源系统中。典型应用场景包括大电流 DC-DC 降压转换器，尤其是在服务器电源、通信设备电源模块和工业电源中作为主开关或同步整流器使用。其低 RDS(on) 和高电流能力使其非常适合用于多相 buck 变换器的下管或上管，能够有效降低导通损耗，提升转换效率。
　　在电机驱动领域，BUK7520-55 可用于 H 桥电路或三相逆变器中，驱动直流电机或步进电机，其快速开关特性和低损耗有助于实现精确的 PWM 控制和节能运行。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电开关控制，以及大功率负载开关、热插拔控制器等场合。
　　在消费类电子和汽车电子中，BUK7520-55 可用于车载电源系统、LED 驱动电源、USB PD 快充适配器等高功率密度设计。其 D2PAK 封装便于自动化贴装和回流焊，适合大规模生产。由于其高可靠性和宽工作温度范围，该器件也可用于工业控制、电信基础设施和可再生能源系统中的功率开关模块。

[
　　 "IPB028N05L3 G",
　　 "IRF2807",
　　 "PSMN022-55YLB",
　　 "FDD8882",
　　 "AUIRF2804"
　　]