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PMV65XP,215 发布时间 时间:2025/5/8 18:19:17 查看 阅读:6

PMV65XP,215 是一款高性能的功率晶体管,广泛应用于高功率电子设备中。该器件属于横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 技术,专为高频和高功率应用设计。其结构设计优化了射频性能,同时保证了较高的效率和线性度。
  PMV65XP,215 具有出色的增益和输出功率能力,在通信系统、无线基础设施以及工业和科学应用中表现出色。

参数

最大集电极电流:7.3A
  最大集电极-发射极电压:65V
  最大功耗:200W
  频率范围:30MHz 至 1GHz
  增益:17dB(典型值)
  效率:60%(典型值)

特性

这款功率晶体管采用先进的 LDM可靠性和稳定性。
  1. 高输出功率和效率,适用于高功率射频放大器。
  2. 支持宽频率范围,满足多种应用场景的需求。
  3. 内置保护电路,提高系统的稳定性和耐用性。
  4. 小尺寸封装,便于在紧凑型设计中使用。
  5. 线性度表现优异,适合对信号保真度要求较高的场合。

应用

PMV65XP,215 主要应用于以下领域:
  1. 基站功率放大器:
   在现代通信网络中,这款晶体管能够提供强大的输出功率,确保信号覆盖范围广且质量高。
  2. 工业与科学设备:
   包括等离子体发生器、加热设备和其他需要高功率射频源的应用。
  3. 测试与测量:
   在实验室环境中,可用于生成高功率射频信号以测试其他设备的性能。
  4. 广播系统:
   提供稳定的高功率输出,支持高质量音频广播。

替代型号

PMV66XP, PMV68XP

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PMV65XP,215参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C76 毫欧 @ 2.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)950mV @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds725pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.92W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-2358-6