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MMBT5551 发布时间 时间:2023/7/18 17:59:36 查看 阅读:743

产品概述

产品型号

MMBT5551

描述

TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23

分类

分立半导体产品,晶体管-双极(BJT)-单

制造商

安森美半导体

打包

卷带式(TR)

工作温度

-55°C?150°C(TJ)

包装/箱

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商设备包装

SOT-23-3

基本零件号

MMBT5551

产品图片

MMBT5551

MMBT5551

规格参数

符合REACH

集电极最大电容

6.0 pF

集电极最大电流(IC)

0.2安

集电极-发射极电压最大值

160.0伏

组态


直流电流最小增益(hFE)

30.0

JEDEC-95代码

TO-236AB

JESD-30代码

R-PDSO-G3

JESD-609代码

00

元素数

1.0

端子数

3

最高工作温度

150℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

长方形

包装形式

小轮廓

极性/通道类型

NPN

功耗环境最大值

0.35瓦

最大功率耗散(Abs)

0.225瓦

子类别

其他晶体管

安装类型

表面贴装

终端完成

锡/铅(Sn / Pb)

终端表格

鸥翼型

终端位置

晶体管应用

交换

晶体管元件材料

过渡频率标称(fT)

100.0兆赫

VCEsat-Max

0.2伏

环境与出口分类

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制)

CAD模型

MMBT5551符号

MMBT5551符号

MMBT5551脚印

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MMBT5551图片

MMBT5551

MMBT5551参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)200mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大350mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT5551FSTR