时间：2025/4/29 9:11:42
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UPB8216C是一种高性能的功率MOSFET驱动芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片具有快速响应能力、低静态电流以及较强的抗干扰能力，能够显著提升系统效率和可靠性。
UPB8216C内部集成了高边和低边驱动电路，支持自举电容供电方式，适合用于半桥和全桥拓扑结构。其内置的死区时间控制功能可以有效防止上下管直通，确保系统的安全运行。
类型：功率MOSFET驱动芯片
工作电压范围：4.5V 至 20V
峰值输出电流：±4A
传播延迟：70ns
通道间匹配延迟：15ns
最大功耗：800mW
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：SOIC-8
UPB8216C具备以下主要特性：
1. 高速驱动性能，可有效降低开关损耗。
2. 内置死区时间控制，避免上下管直通问题。
3. 支持宽范围的工作电压，适应多种应用场景。
4. 内部集成自举二极管，简化外围电路设计。
5. 提供过温保护和欠压锁定功能，增强系统可靠性。
6. 封装紧凑，便于PCB布局和安装。
UPB8216C适用于以下应用领域：
1. 开关电源中的功率级驱动。
2. 电机驱动控制器中的桥式驱动。
3. DC-DC转换器中的同步整流驱动。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 各类工业自动化设备中的功率驱动部分。
UPB8216,
IR2110,
TC4427
