PMV50EPEA 时间：2025/3/21 15:29:26 阅读：17

PMV50EPEA 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用 TO-263 封装形式，具有良好的热性能和电气特性，适用于多种工业及消费类电子应用。其设计目标是提供高效率、低损耗的功率转换解决方案。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻（典型值）：14mΩ
　　栅极电荷：26nC
　　开关速度：快速
　　封装形式：TO-263

特性

PMV50EPEA 具有较低的导通电阻，能够显著减少功率损耗，提高系统效率。此外，其快速开关性能使其非常适合高频开关应用。该器件还具备较高的雪崩耐量能力，增强了在异常条件下的可靠性。
　　具体特性包括：
　　1. 低导通电阻以降低功耗。
　　2. 快速开关能力支持高频操作。
　　3. 高电流处理能力，满足大功率需求。
　　4. 紧凑的 TO-263 封装有助于节省 PCB 空间。
　　5. 良好的热稳定性，适合长时间工作。

应用

PMV50EPEA 广泛用于各种电源管理领域，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及电池管理系统等。此外，它也常被用作逆变器中的开关元件或作为功率放大器的输出级驱动器件。
　　典型应用场景包括：
　　1. 开关电源 (SMPS)。
　　2. 电动工具和家用电器的电机控制。
　　3. 汽车电子中的负载切换。
　　4. 工业自动化设备中的功率转换模块。