时间：2025/9/1 19:48:43
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H8BCSOQGOMMR-4EM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用了BGA（球栅阵列）封装技术，适用于需要高速数据处理和大容量内存的应用场景，如服务器、网络设备、嵌入式系统等。该芯片的型号中包含了关键的信息，如容量、速度等级和封装类型，便于工程师在设计电路时进行选型和匹配。
制造商：SK Hynix
封装类型：BGA
存储容量：256MB
数据宽度：16位
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
工作温度：-40°C ~ +85°C
引脚数量：54
时钟频率：166MHz
H8BCSOQGOMMR-4EM 是一款高性能的DRAM芯片，具有多项显著的特性。首先，它采用了BGA封装技术，这种封装方式不仅提高了封装密度，还增强了芯片的散热性能，适用于高密度和高性能的电路设计。此外，BGA封装还减少了引脚间的寄生电感，提高了信号完整性。
其次，该芯片的存储容量为256MB，数据宽度为16位，适用于需要大容量存储和高速数据处理的应用。其工作电压范围为2.3V至3.6V，适应性强，能够在多种电源条件下稳定工作。这种宽电压设计使得芯片可以兼容不同的系统电源架构，提高了其在不同应用中的适用性。
H8BCSOQGOMMR-4EM 广泛应用于多种高性能电子设备和系统中。由于其大容量和高速特性，该芯片非常适合用于服务器和网络设备，作为主存储器或缓存存储器，以提升系统的整体性能。在服务器应用中，高速内存对于处理大量并发请求至关重要，而该芯片的低延迟和高带宽特性能够有效支持这一需求。
HY57V281620FTP-6A, K4S641632K-UCB5, MT48LC16M2A2B4-6A
