时间：2025/7/10 10:11:04
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FDS6892AZ-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能电源管理应用。它主要针对消费类电子产品、计算机及其外设、通信设备以及工业控制等领域的设计需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13.5A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：49nC
总电容（输入电容）：1180pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-220AC
FDS6892AZ-NL 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关电源和电机驱动应用。
3. 强大的雪崩能力，确保在过载条件下具备更高的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，支持环保设计要求。
5. 良好的热稳定性和耐用性，适应恶劣的工作环境。
6. 提供精确的栅极阈值电压，便于电路设计优化。
FDS6892AZ-NL 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化系统中的负载开关。
5. 笔记本电脑和台式机电源适配器。
6. 充电器及电池管理系统中的关键组件。
7. 通信基础设施设备中的高效功率转换模块。
FDS6892A, FDP5500, IRFZ44N
