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PMV40UN 发布时间 时间:2025/5/28 18:46:20 查看 阅读:6

PMV40UN是Nexperia(原飞利浦半导体)生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用SOT23封装形式,具有低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性等特性,适用于各种低压电路中的开关和负载驱动应用。其典型应用场景包括便携式电子设备、计算机外设以及工业控制系统的电源管理部分。

参数

最大漏源电压:-40V
  最大连续漏极电流:-1.8A
  导通电阻:150mΩ
  栅极阈值电压:-1V至-2V
  总功耗:410mW
  工作结温范围:-55°C至150°C

特性

PMV40UN是一款高性能P沟道MOSFET,其主要特点如下:
  1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗,从而提升了整体效率。
  2. 快速开关性能使其适合高频开关应用,同时减少开关损耗。
  3. SOT23的小型封装设计节省了PCB空间,非常适合对空间要求严格的便携式设备。
  4. 宽工作温度范围保证了在极端环境下的稳定运行。
  5. 高可靠性和耐用性使该器件能够在恶劣环境下长期使用。

应用

PMV40UN广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 电池供电设备中的负载开关。
  2. 计算机及外设的电源管理模块。
  3. 各种消费类电子产品中的电源切换。
  4. 工业自动化控制系统中的信号切换。
  5. 汽车电子系统中的低边开关应用。

替代型号

PSMNR40-30YL, SI2306DS-T1-GE3, FDMC860P

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