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C3D08060G 发布时间 时间:2025/12/28 16:21:33 查看 阅读:9

C3D08060G 是一款由 Central Semiconductor 生产的表面贴装双共阴极肖特基二极管阵列。该器件采用 SOT-363 封装,适用于需要高效率和低电压降的应用场景。肖特基二极管因其较低的正向电压降和快速的开关特性,常用于电源管理和信号处理电路中。

参数

类型:双共阴极肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压:30V
  最大平均正向电流:0.2A(每个二极管)
  最大正向电压降:0.35V(在0.2A时)
  最大反向漏电流:100nA(在25°C时)
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-363

特性

C3D08060G 的核心特性之一是其采用双共阴极配置的肖特基二极管结构,这种设计使得两个二极管共享一个阴极引脚,可以有效地减少电路中的元件数量和布局复杂度。每个二极管的正向电流能力为0.2A,适合低功率应用。其最大重复峰值反向电压为30V,这使得该器件能够在中等电压环境下稳定工作。此外,C3D08060G 在正向导通时的最大电压降仅为0.35V,这有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  另一个显著的特性是其快速的开关性能,肖特基二极管本身的结构决定了它具有非常低的反向恢复时间,适用于高频开关应用。此外,该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,具备良好的热稳定性,适用于工业级和汽车电子等要求苛刻的环境。SOT-363 封装形式也使其非常适合用于高密度PCB布局,提供更高的集成度和空间利用率。
  从电气特性来看,C3D08060G 的最大反向漏电流在25°C时为100nA,这个数值在高温环境下可能会略有上升,但依然保持在较低水平,确保了器件在不同温度条件下的稳定性和可靠性。同时,其表面贴装封装形式支持自动化生产和回流焊工艺,提高了制造效率。

应用

C3D08060G 主要应用于需要高效能和小型化设计的电子系统中。其双共阴极配置特别适合用于电源多路输出的整流电路中,例如DC-DC转换器、电池管理系统以及便携式设备的电源模块。在这些应用中,C3D08060G 可以作为续流二极管或整流二极管使用,其低正向电压降特性有助于提高整体电源转换效率。
  由于其快速的开关特性,C3D08060G 也常用于高频信号整流和检测电路中,例如射频(RF)前端模块中的信号处理部分。此外,在工业控制和自动化设备中,该器件可用于隔离不同电路之间的信号路径,防止反向电流流动,保护敏感的电子元件。
  该器件的宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车电子系统中的理想选择。例如,在汽车的车身控制模块(BCM)、车载充电系统以及发动机控制单元(ECU)中,C3D08060G 可以用于电源保护、信号整流和电压钳位等功能,确保电子系统在严苛的环境条件下依然能够稳定工作。

替代型号

C3D08060G 的替代型号包括 C3D08060 和 CDBZ260 。这些型号在功能和电气特性上与 C3D08060G 非常相似,但可能在封装形式或供应商支持方面略有不同。用户在选择替代型号时应仔细核对数据手册,确保其电气特性和封装尺寸与原型号兼容。

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C3D08060G参数

  • 产品培训模块SiC Diodes in Inverter ModulesSiC Schottky Diodes
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列Z-Rec™
  • 二极管类型碳化硅肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)8A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.8V @ 8A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)0ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F441pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263-2
  • 包装管件