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PMV28ENEAR 发布时间 时间:2025/9/14 1:12:07 查看 阅读:15

PMV28ENEAR 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管专门设计用于高频率、低噪声放大器应用,适用于射频(RF)和高频电路。PMV28ENEAR 采用小型SOT-23封装,具有紧凑的尺寸和优良的高频性能,适合在通信设备、射频接收器、无线模块等电子系统中使用。

参数

晶体管类型:NPN
  封装类型:SOT-23
  最大集电极电流:100 mA
  最大集电极-发射极电压:15 V
  最大基极-发射极电压:2 V
  最大功耗:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  增益带宽积:100 MHz
  噪声系数:1.5 dB(典型值)
  电流增益(hFE):110 至 800(根据工作电流和电压条件)

特性

PMV28ENEAR 的主要特性之一是其优异的高频性能,使其适用于射频和中频放大器电路。该晶体管具有低噪声系数(通常为1.5 dB),非常适合用于低噪声前置放大器应用。此外,它的增益带宽积高达100 MHz,能够支持广泛的高频信号处理任务。PMV28ENEAR 的SOT-23封装不仅体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,还具备良好的热性能,确保在各种工作条件下稳定运行。该器件的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800,能够满足不同放大电路设计的需求。由于其良好的线性度和稳定性,PMV28ENEAR 常被用于通信系统、射频接收模块以及各类便携式电子产品中的信号放大电路。
  另外,PMV28ENEAR 在设计上优化了噪声性能,使其在低电平信号放大中表现出色,尤其是在无线通信和广播接收设备中。它的工作温度范围广泛,能够在-55°C至+150°C之间稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。最大集电极电流为100 mA,最大集电极-发射极电压为15 V,使其在中等功率放大电路中也具有良好的适应性。整体来看,PMV28ENEAR 是一款性能稳定、适用范围广的高频NPN晶体管,广泛应用于现代电子系统中。

应用

PMV28ENEAR 主要用于射频和高频放大电路,如无线通信设备中的低噪声前置放大器、射频接收器、调频广播接收器、无线模块(如蓝牙、Wi-Fi)、数据传输设备等。此外,它还适用于音频放大器、振荡器、混频器和各类模拟信号处理电路。在工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中,PMV28ENEAR 都有广泛的应用。

替代型号

BCX56-10, BFQ56, 2N3904, BF199

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PMV28ENEAR参数

  • 现有数量11,180现货
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)3,000 : ¥0.87322卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)37 毫欧 @ 4.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)266 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)660mW(Ta),8.3W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-236AB
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3