类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4A（在25°C）
　　功耗（Pd）：44W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：最大2.5Ω（在Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：14nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：580pF（典型值）

CS4N65A3HD1G 的核心特性之一是其高达 650V 的漏源击穿电压，这使其非常适合用于高电压应用。该 MOSFET 具有较低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能，确保长时间运行的可靠性。
　　该 MOSFET 采用先进的封装技术，具有良好的散热性能，能够有效降低结温，延长器件寿命。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和能效。栅极驱动电压范围宽，支持 10V 至 20V 的栅极电压操作，提高了设计的灵活性。
　　CS4N65A3HD1G 还具备良好的短路和过载保护能力，在异常工作条件下仍能维持一定的稳定性。其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性使得驱动电路的设计更加简便，降低了对外部驱动电路的要求，有助于简化系统设计。

CS4N65A3HD1G 主要应用于各种类型的功率转换设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电池充电器、电机驱动器和负载开关等。在工业自动化设备、服务器电源、LED 照明驱动以及家电电源系统中，该 MOSFET 都可以发挥出色的性能。
　　由于其高耐压和低导通电阻的特性，CS4N65A3HD1G 特别适合用于需要高效率、高可靠性的电源转换系统。例如，在反激式和正激式开关电源中，该器件可用于主开关管，实现高效的能量转换；在电机控制电路中，可作为功率开关用于控制电机的启停和转速；在电池管理系统中，可作为充放电控制开关，提高系统的安全性和稳定性。
　　此外，CS4N65A3HD1G 还广泛应用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电设备中，作为关键的功率开关元件，为系统提供高效、稳定、可靠的电力转换支持。

FQP4N60C / IRFBC40 / STF4N60DM2 / NTD4N60CL