PMV16UN 时间：2025/5/12 12:26:05 阅读：4

PMV16UN是NXP公司生产的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用小型化的SOT23封装，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电源管理和开关应用。
　　这款MOSFET主要应用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理以及便携式设备中的电源开关等领域。其P沟道特性使其特别适合需要低压侧开关的应用场景。

参数

最大漏源电压：-30V
　　连续漏极电流：-1.9A
　　导通电阻：160mΩ（典型值，在Vgs=-4.5V时）
　　栅极电荷：1.7nC（典型值）
　　总功耗：410mW
　　工作结温范围：-55℃至150℃

特性

PMV16UN具有低导通电阻的特点，能够减少传导损耗并提高效率。此外，它的SOT23封装小巧，非常适合空间受限的设计。
　　该器件还具备快速开关能力和良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。同时，PMV16UN的高雪崩能量能力增强了其在异常情况下的鲁棒性。
　　由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，PMV16UN成为众多便携式电子设备的理想选择。

应用

PMV16UN广泛应用于各种领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 负载开关：用于控制电路中不同负载的接通与断开。
　　2. DC-DC转换器：作为同步整流或降压/升压转换器中的开关元件。
　　3. 电池管理：实现电池保护、充放电控制等功能。
　　4. 消费类电子产品：如手机、平板电脑、便携式媒体播放器等的电源管理单元。
　　5. 工业控制：为小型工业设备提供高效、可靠的电源解决方案。