时间：2025/9/14 15:55:11
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PMPB95ENEA/FX 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，使其在高负载条件下仍能保持稳定性能。PMPB95ENEA/FX 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：80 A
导通电阻（RDS(on)）：≤ 4.5 mΩ（在 VGS = 10 V 时）
功率耗散（PD）：200 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220FP
PMPB95ENEA/FX 具有多个显著的技术特性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，非常适合用于高电流应用场景。该器件的高耐压能力（VDS = 100 V）使其能够承受较高的电压应力，适用于各种中高功率的开关电路。
此外，PMPB95ENEA/FX 采用先进的封装技术，具有良好的热管理性能，可以在高温环境下稳定运行。其高功率耗散能力（200 W）进一步增强了器件在高负载条件下的可靠性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20 V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同的控制系统中。同时，其工作温度范围广泛（-55°C 至 +175°C），适用于工业级和汽车级应用环境。
整体而言，PMPB95ENEA/FX 在性能、可靠性和热管理方面表现出色，是高效率功率转换和控制应用的理想选择。
PMPB95ENEA/FX 广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，以提高能量转换效率并减小系统尺寸。在电机控制领域，该器件可用于驱动直流电机和步进电机，实现高效、精确的控制。
此外，PMPB95ENEA/FX 还适用于电池管理系统（BMS）、逆变器和不间断电源（UPS）等高功率应用。其高耐压能力和低导通电阻使其成为工业自动化设备、电动汽车充电系统和太阳能逆变器中的关键组件。
由于其出色的热稳定性和宽工作温度范围，PMPB95ENEA/FX 也广泛用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电池管理系统。
IPB95N10N3 G, FDPF95N10T
