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PMPB95ENEA/FX 发布时间 时间:2025/9/14 15:55:11 查看 阅读:23

PMPB95ENEA/FX 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,使其在高负载条件下仍能保持稳定性能。PMPB95ENEA/FX 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):100 V
  栅源电压(VGS):±20 V
  连续漏极电流(ID):80 A
  导通电阻(RDS(on)):≤ 4.5 mΩ(在 VGS = 10 V 时)
  功率耗散(PD):200 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220FP

特性

PMPB95ENEA/FX 具有多个显著的技术特性。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率,非常适合用于高电流应用场景。该器件的高耐压能力(VDS = 100 V)使其能够承受较高的电压应力,适用于各种中高功率的开关电路。
  此外,PMPB95ENEA/FX 采用先进的封装技术,具有良好的热管理性能,可以在高温环境下稳定运行。其高功率耗散能力(200 W)进一步增强了器件在高负载条件下的可靠性。
  该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽(±20 V),兼容多种驱动电路设计,便于集成到不同的控制系统中。同时,其工作温度范围广泛(-55°C 至 +175°C),适用于工业级和汽车级应用环境。
  整体而言,PMPB95ENEA/FX 在性能、可靠性和热管理方面表现出色,是高效率功率转换和控制应用的理想选择。

应用

PMPB95ENEA/FX 广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关,以提高能量转换效率并减小系统尺寸。在电机控制领域,该器件可用于驱动直流电机和步进电机,实现高效、精确的控制。
  此外,PMPB95ENEA/FX 还适用于电池管理系统(BMS)、逆变器和不间断电源(UPS)等高功率应用。其高耐压能力和低导通电阻使其成为工业自动化设备、电动汽车充电系统和太阳能逆变器中的关键组件。
  由于其出色的热稳定性和宽工作温度范围,PMPB95ENEA/FX 也广泛用于汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)、车载充电器和电池管理系统。

替代型号

IPB95N10N3 G, FDPF95N10T

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PMPB95ENEA/FX参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.35853卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)105 毫欧 @ 2.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)504 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.6W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘