GA0402A2R2CXBAP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),主要用于高频、高效功率转换应用。该器件采用了先进的 GaN-on-Si 技术,具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、无线充电和其他需要高性能功率管理的应用场景。
这款芯片在设计上注重提高效率和减少能量损耗,同时其封装形式也经过优化以适应高密度电路板布局需求。
型号:GA0402A2R2CXBAP31G
类型:增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)
材料:氮化镓(GaN)
最大漏源电压(Vds):650 V
最大栅源电压(Vgs):±8 V
导通电阻(Rds(on)):40 mΩ
连续漏极电流(Id):2 A
开关频率范围:最高支持 5 MHz
封装形式:PQFN 3x3 mm
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
GA0402A2R2CXBAP31G 的主要特点是其卓越的开关性能和高效率。与传统的硅基 MOSFET 相比,GaN 器件具备更低的寄生电容和更小的导通电阻,从而显著减少了开关损耗和传导损耗。
此外,该芯片支持更高的开关频率,这使得电源设计可以使用更小的磁性元件和滤波器,进而减小整体系统尺寸并降低物料成本。
其小型化的 PQFN 封装还进一步提高了 PCB 空间利用率,适合紧凑型设计要求。同时,它具备出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能表现。
该芯片广泛应用于各类高频功率转换场合,例如数据中心电源、电动汽车车载充电器、消费类快充适配器以及工业自动化设备中的功率模块。
具体应用场景包括:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动控制器
- 无线充电发射端
- 太阳能微型逆变器
这些领域对高效率和小体积有较高要求,而 GA0402A2R2CXBAP31G 恰好能够满足这些需求。
GA0402A2R2CXCAP31G, GS66508T, EPC2020