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GA0402A2R2CXBAP31G 发布时间 时间:2025/5/28 11:40:22 查看 阅读:13

GA0402A2R2CXBAP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),主要用于高频、高效功率转换应用。该器件采用了先进的 GaN-on-Si 技术,具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、无线充电和其他需要高性能功率管理的应用场景。
  这款芯片在设计上注重提高效率和减少能量损耗,同时其封装形式也经过优化以适应高密度电路板布局需求。

参数

型号:GA0402A2R2CXBAP31G
  类型:增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)
  材料:氮化镓(GaN)
  最大漏源电压(Vds):650 V
  最大栅源电压(Vgs):±8 V
  导通电阻(Rds(on)):40 mΩ
  连续漏极电流(Id):2 A
  开关频率范围:最高支持 5 MHz
  封装形式:PQFN 3x3 mm
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

GA0402A2R2CXBAP31G 的主要特点是其卓越的开关性能和高效率。与传统的硅基 MOSFET 相比,GaN 器件具备更低的寄生电容和更小的导通电阻,从而显著减少了开关损耗和传导损耗。
  此外,该芯片支持更高的开关频率,这使得电源设计可以使用更小的磁性元件和滤波器,进而减小整体系统尺寸并降低物料成本。
  其小型化的 PQFN 封装还进一步提高了 PCB 空间利用率,适合紧凑型设计要求。同时,它具备出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能表现。

应用

该芯片广泛应用于各类高频功率转换场合,例如数据中心电源、电动汽车车载充电器、消费类快充适配器以及工业自动化设备中的功率模块。
  具体应用场景包括:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动控制器
  - 无线充电发射端
  - 太阳能微型逆变器
  这些领域对高效率和小体积有较高要求,而 GA0402A2R2CXBAP31G 恰好能够满足这些需求。

替代型号

GA0402A2R2CXCAP31G, GS66508T, EPC2020

GA0402A2R2CXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容2.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-