时间：2025/9/14 10:52:02
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PMPB20XNEAZ 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效能的电源管理和功率转换应用，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和高电流容量。PMPB20XNEAZ 采用先进的技术制造，以确保在高频率和高负载条件下仍能保持稳定的性能。
类型: N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS): 200V
最大漏极电流(ID): 9.4A（连续）
最大栅源电压(VGS): ±20V
导通电阻(RDS(on)): 最大 0.23Ω @ VGS=10V
漏源击穿电压(BVDSS): 200V
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
封装类型: TO-220、D2PAK（取决于具体版本）
功耗(PD): 40W（TO-220）、60W（D2PAK）
栅极电荷(Qg): 典型值 26nC @ VGS=10V
PMPB20XNEAZ MOSFET 的主要特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的 RDS(on) 在 VGS=10V 时最大为 0.23Ω，确保在高电流应用中保持较低的温升。此外，该 MOSFET 支持高达 200V 的漏源电压，使其适用于多种高压电源转换系统。
另一个显著的特性是其高电流容量。PMPB20XNEAZ 可以承受高达 9.4A 的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。其封装形式（如 TO-220 或 D2PAK）不仅提供了良好的热管理能力，还能适应不同的 PCB 布局需求。
该器件的栅极电荷（Qg）为 26nC（典型值），使其在高频开关应用中表现良好。低 Qg 值意味着驱动电路所需的能量更少，从而提高了整体效率。此外，该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
PMPB20XNEAZ 还具备出色的耐用性和可靠性，适用于工业级应用。其设计符合 RoHS 标准，支持环保制造工艺。此外，该器件的高抗雪崩能力确保在异常工作条件下仍能保持安全运行。
PMPB20XNEAZ MOSFET 广泛应用于多种电源管理和功率转换设备中。其主要应用包括 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
在电源管理应用中，该 MOSFET 可用于同步整流器、负载开关或电源分配系统，提供高效的能量传输。在电机驱动应用中，PMPB20XNEAZ 可用于 H 桥电路中的上桥和下桥开关，支持高电流电机的驱动需求。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和储能系统中的功率开关模块。
由于其高耐压和高电流能力，PMPB20XNEAZ 也常用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）中，确保在恶劣环境中仍能稳定运行。
STP20NK20Z, IRFZ44N, FDPF20N20, FQP20N20
