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PMPB20 发布时间 时间:2025/9/14 9:22:17 查看 阅读:8

PMPB20 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场合。PMPB20采用DPAK(TO-252)封装形式,具备良好的热性能和机械稳定性,适用于工业级温度范围。由于其高性能和可靠性,PMPB20广泛应用于汽车电子、消费类电子产品和工业控制系统中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):200 V
  栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id):11 A(@Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.25 Ω @ Vgs=10V
  功耗(Ptot):60 W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

PMPB20 的核心特性之一是其较低的导通电阻,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。在10V栅极驱动电压下,Rds(on)仅为0.25Ω,使得该器件在中高功率应用中表现优异。此外,PMPB20具备较高的击穿电压(200V),可承受较高的瞬态电压应力,增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
  另一个显著特点是其封装形式——DPAK(TO-252),这是一种表面贴装封装,具有良好的散热性能,适合高密度PCB布局。该封装还具有较强的机械强度,适用于汽车和工业环境中的振动和热循环条件。
  PMPB20具有快速开关特性,能够支持高频工作,从而减小外围元件的尺寸,提高整体系统的功率密度。此外,其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动损耗,提高开关效率。
  该器件的热阻(Rth)较低,确保在高功率工作状态下能够有效散热,防止过热损坏。PMPB20的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于宽温环境下的应用,如汽车电子系统、工业控制和电源管理模块。

应用

PMPB20 主要应用于需要高效率、高可靠性的功率电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器和电源分配系统。在汽车电子领域,PMPB20可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块等场合。
  在消费类电子产品中,该器件可用于适配器、电源管理单元和LED照明驱动电路。此外,PMPB20也广泛应用于工业自动化设备中的电机控制和电源转换模块,提供稳定可靠的功率开关解决方案。

替代型号

PMPB20 的替代型号包括:STP12NM20、IRFZ44N、FDPF20N20、IPB20N20C3。

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