时间：2025/5/22 17:14:15
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AONS36302是一款N沟道增强型MOSFET，由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生产。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性，适用于各种功率转换和负载开关应用。AONS36302封装形式为SOT-23-3L，适合于空间受限的应用场合。
这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备、计算机外设等领域，能够显著提高系统的整体性能和可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（典型值）：58mΩ
栅极电荷：4nC
输入电容：110pF
总热阻（结到环境）：167°C/W
工作温度范围：-55°C至150°C
AONS36302的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低传导损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，有助于减少开关损耗。
3. 小型化的SOT-23-3L封装设计，节省PCB板面积。
4. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐受性。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
AONS36302适用于多种应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 消费类电子产品中的电源管理模块。
5. 电机驱动和LED驱动中的功率控制元件。
6. 便携式设备中的高效能功率管理方案。
AONR36302
AOSF36302
FDMC8820
