时间：2025/9/13 20:52:33
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PESD2ETH-ADF 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的双通道静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为以太网物理层（PHY）接口设计。该器件用于保护千兆以太网和其他高速差分信号线路免受静电放电和瞬态电压的损害，同时保持信号完整性和低插入损耗。其紧凑的封装和高性能使其非常适合用于通信设备、工业自动化、路由器和交换机等应用。
类型：ESD保护二极管阵列
通道数：2通道
工作电压：3.3V 至 5.5V（典型）
反向关态电压（VRWM）：5.0V
钳位电压（Vclamp）：最大 12V（在 Ipp = 3A 时）
峰值脉冲电流（Ipp）：±3A（8/20μs 波形）
漏电流（IR）：最大 100nA
电容（Cj）：典型值 0.3pF（在 0V）
封装形式：DFN1010D-6（1.0 x 1.0 x 0.5mm）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
PESD2ETH-ADF 的核心特性在于其出色的 ESD 保护性能和对高速信号的低干扰设计。该器件符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准，可承受高达 ±15kV 的接触放电和 ±15kV 的空气放电，有效保护下游电路免受静电损害。其极低的结电容（典型值 0.3pF）确保了在 1Gbps 甚至更高速度的以太网通信中不会引起信号失真或衰减，适用于差分对线路的双向保护。
此外，PESD2ETH-ADF 采用 DFN1010D-6 超小型封装，节省 PCB 空间，非常适合高密度电路设计。器件具备低钳位电压特性，确保在 ESD 事件中将电压限制在安全范围内，从而保护敏感的以太网 PHY 器件。其低漏电流特性也有助于减少静态功耗并提高系统稳定性。
由于其双通道结构，该器件可同时保护两对差分信号线，常用于以太网变压器侧或 MAC/PHY 接口的保护。整体设计兼顾了保护性能与信号完整性，是工业以太网、PoE（以太网供电）设备以及通信基础设施的理想选择。
PESD2ETH-ADF 主要用于保护以太网接口电路，特别是在千兆以太网（1000BASE-T）、快速以太网（100BASE-TX）及 10BASE-T 等应用中。常见应用包括路由器、交换机、工业控制设备、网络摄像头、PoE 供电设备、以太网收发器以及任何需要高速差分信号线保护的系统。该器件也适用于需要小型化设计和高可靠性要求的汽车和工业通信系统。
PESD2ETH-AD, PESD2CAN-ADF, TPD2E001-Q1, ESDA6V1-5BF3
