PMPB16EPX 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道功率MOSFET,广泛用于需要高效能和高可靠性的应用中。该器件采用先进的技术,具备低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力以及优异的热性能,适用于各种电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等场景。PMPB16EPX 的封装形式为PowerFLAT 5x6,这种封装不仅有助于提高散热效率,还节省了PCB空间,适合高密度设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:16A
最大漏源电压:60V
导通电阻(RDS(on)):20mΩ(典型值)
栅极电荷:25nC
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
PMPB16EPX 的核心优势在于其出色的导通性能和热管理能力。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率,从而减少了对外部散热片的依赖,降低了整体系统成本。该器件的高耐压能力确保了其在各种工作条件下的稳定性和安全性,尤其适用于高电压波动的环境。PowerFLAT 5x6 封装不仅提供了良好的散热性能,还支持双面散热,进一步提升了热管理效率。此外,该MOSFET具备快速开关特性,减少了开关损耗,提升了整体系统响应速度。
PMPB16EPX 的栅极驱动电压范围较宽,通常支持4.5V至20V之间的栅极电压,使得其可以与多种控制IC和驱动器兼容。这为设计人员提供了更大的灵活性,简化了驱动电路的设计。此外,该器件具备高抗雪崩能力,增强了在高能量瞬态条件下的可靠性,减少了因过压或过流导致的故障风险。
在封装设计上,PMPB16EPX 的PowerFLAT 5x6 封装采用无引脚设计,减小了寄生电感,有助于提高高频工作的稳定性。这种封装还支持自动贴片工艺,提高了生产效率,并保证了焊接质量和一致性。此外,该MOSFET具有较高的可靠性,符合AEC-Q101汽车电子标准,适用于汽车电子系统,如电动助力转向、电池管理系统(BMS)和车载充电器等。
PMPB16EPX 主要用于高性能电源管理系统,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。由于其高效率和高可靠性,该器件广泛应用于工业自动化、通信设备、服务器电源、消费类电子产品以及电动汽车等领域。在汽车应用中,它可用于电动助力转向系统(EPS)、车载充电器(OBC)以及电池管理系统(BMS),提供高效、稳定的功率控制解决方案。
IPD160N60C6, FDP16N60, STD16NM60N