时间：2025/9/14 1:56:53
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PMPB14R7EPX 是一款由 NXP Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高功率密度和优良的热性能。PMPB14R7EPX 特别适用于汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：40V
漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 3.5V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：Power-SO8
安装类型：表面贴装
PMPB14R7EPX 的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为 1.4mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下的导通电阻表现优异，适合用于高电流应用。
其次，PMPB14R7EPX 采用了先进的 Trench MOS 技术，提供了更高的功率密度和更小的芯片尺寸，同时优化了热管理能力，使其在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，提高了器件的可靠性和耐用性。其栅极阈值电压范围为 2.0V 至 3.5V，适用于标准逻辑电平驱动，兼容多种控制器和驱动电路。
PMPB14R7EPX 还具有良好的热稳定性，在高工作温度下仍能维持优异的性能。其封装形式为 Power-SO8，具有良好的散热性能，适合高功率密度应用。
该器件符合 AEC-Q101 汽车电子标准，适用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等。
PMPB14R7EPX 主要应用于汽车电子系统，如电动助力转向、车载充电器和电池管理系统。此外，该器件也广泛用于工业电源、DC-DC 转换器、服务器电源、负载开关以及高功率密度电源模块。由于其低导通电阻和优异的热性能，PMPB14R7EPX 也适用于高效率的功率转换系统和高电流负载开关应用。
IPB14R7EPXKSA1, PMPB14R7EPX,118
