您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PMPB14R7EPX

PMPB14R7EPX 发布时间 时间:2025/9/14 1:56:53 查看 阅读:27

PMPB14R7EPX 是一款由 NXP Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的技术制造,具有低导通电阻、高功率密度和优良的热性能。PMPB14R7EPX 特别适用于汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):40V
  漏极电流(Id):150A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ @ Vgs=10V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.0V ~ 3.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:Power-SO8
  安装类型:表面贴装

特性

PMPB14R7EPX 的主要特性之一是其极低的导通电阻,仅为 1.4mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下的导通电阻表现优异,适合用于高电流应用。
  其次,PMPB14R7EPX 采用了先进的 Trench MOS 技术,提供了更高的功率密度和更小的芯片尺寸,同时优化了热管理能力,使其在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
  此外,该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力,能够承受一定的过载和瞬态电压冲击,提高了器件的可靠性和耐用性。其栅极阈值电压范围为 2.0V 至 3.5V,适用于标准逻辑电平驱动,兼容多种控制器和驱动电路。
  PMPB14R7EPX 还具有良好的热稳定性,在高工作温度下仍能维持优异的性能。其封装形式为 Power-SO8,具有良好的散热性能,适合高功率密度应用。
  该器件符合 AEC-Q101 汽车电子标准,适用于汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS)等。

应用

PMPB14R7EPX 主要应用于汽车电子系统,如电动助力转向、车载充电器和电池管理系统。此外,该器件也广泛用于工业电源、DC-DC 转换器、服务器电源、负载开关以及高功率密度电源模块。由于其低导通电阻和优异的热性能,PMPB14R7EPX 也适用于高效率的功率转换系统和高电流负载开关应用。

替代型号

IPB14R7EPXKSA1, PMPB14R7EPX,118

PMPB14R7EPX推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PMPB14R7EPX参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格6,000 : ¥1.20795卷带(TR)
  • 系列TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)18 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)44 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1418 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.9W(Ta),12.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘