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CY14B101Q2-LHXIT 发布时间 时间:2025/11/3 22:04:15 查看 阅读:7

CY14B101Q2-LHXIT 是由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的一款 1-Mbit (128 K × 8) 串行 F-RAM(铁电随机存取存储器)存储器芯片。该器件结合了非易失性存储器的持久性和高速、高耐久性的读写能力,适用于需要频繁数据记录和快速访问的应用场景。F-RAM 技术基于铁电电容原理,与传统的 EEPROM 或 Flash 存储器不同,它在写入数据时无需等待写周期完成,因此具备真正的写入无延迟特性。CY14B101Q2-LHXIT 支持 SPI(Serial Peripheral Interface)四线制通信协议(SCLK、SI、SO 和 S#),最高支持 40 MHz 的时钟频率,能够实现高达 40 Mbps 的数据传输速率。该芯片集成了一个内置的实时时钟(RTC)模块,并配备一个用于连接外部电池或超级电容的 VBAT 引脚,可在主电源失效时保持时间和关键数据的持续运行。这种功能使其非常适合工业控制、医疗设备、智能仪表以及任何需要可靠数据日志记录和时间戳功能的系统。
  该器件采用小型 8 引脚 SOIC 封装(宽体),工作电压范围为 3.3V ±0.3V,可在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内稳定运行。其内部架构将 1 Mbit 的 F-RAM 分为主存储区和附加的 128 字节硬件保护寄存器区,后者可用于存储校准数据、序列号或安全密钥等重要信息。此外,CY14B101Q2-LHXIT 具备卓越的耐久性,每个存储单元可承受高达 10^14 次的读/写操作,远远超过传统非易失性存储器的技术极限。由于无需写入延时,也不需要复杂的擦除机制,该芯片显著降低了系统设计复杂度,并提升了整体可靠性。

参数

容量:1 Mbit
  组织结构:128 K × 8
  接口类型:SPI 四线制
  最大时钟频率:40 MHz
  工作电压:3.0V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:8-SOIC (Wide)
  非易失性:是
  写入耐久性:1e14 次/字节
  写入延迟:无
  实时时钟(RTC):集成
  备用电源引脚:VBAT
  数据保持时间:10 年以上(典型值)
  JEDEC 标准:符合 RoHS 和无卤素要求

特性

CY14B101Q2-LHXIT 的核心优势在于其采用的铁电存储技术(F-RAM),这项技术使得它在性能上远超传统的 EEPROM 和 NOR Flash。首先,F-RAM 的写入过程是破坏性读取加立即重写的机制,不需要像 Flash 那样进行耗时的擦除步骤,也不存在写入后需等待的状态轮询。这意味着每一次写操作都可以立即执行,且响应时间极短,真正实现了“即时写入”(Instant Write)。这一特性对于需要实时采集大量传感器数据的应用至关重要,例如在工业自动化中对压力、温度或流量信号的毫秒级采样记录,可以避免因写入延迟导致的数据丢失。其次,其惊人的 10^14 次读写耐久性,比标准 EEPROM 的 10^6 次高出八个数量级,极大地延长了系统的使用寿命并减少了维护成本。即使每秒进行数百次写操作,理论上也能持续运行数百年而不损坏。
  另一个突出特点是集成的实时时钟(RTC)模块。该 RTC 在主电源断开后可通过外接电池或超级电容继续运行,确保时间信息不会丢失。配合非易失性 F-RAM 存储,可以在断电瞬间自动保存当前时间戳及关键状态信息,实现完整的事件追踪功能。这对于电力监控、远程抄表、医疗设备中的治疗日志记录等应用具有重要意义。同时,芯片内部设有专用的受保护寄存器区域,支持硬件写保护机制,防止意外修改关键配置数据。低功耗设计也是该器件的一大亮点:待机电流仅为几微安级别,在电池供电的应用中可显著延长续航时间。此外,SPI 接口兼容性强,易于与各类微控制器连接,且无需额外的地址锁存或复杂的驱动程序。综上所述,CY14B101Q2-LHXIT 凭借其高速、高耐久、低延迟和集成 RTC 的特点,成为高端嵌入式系统中理想的非易失性数据存储解决方案。

应用

CY14B101Q2-LHXIT 广泛应用于需要频繁、快速且可靠地保存数据的嵌入式系统中。在工业自动化领域,常用于 PLC(可编程逻辑控制器)、数据采集模块和传感器节点,用于实时记录工艺参数、故障日志和运行时间统计。其无延迟写入能力和高耐久性确保了即使在剧烈变化的工况下也不会遗漏任何一次数据更新。在智能电表、水表和燃气表等计量设备中,该芯片被用来存储累计用量、事件时间戳和断电记录,集成的 RTC 可精确标记每次操作的时间,满足严格的审计和合规要求。医疗设备如病人监护仪、输液泵和便携式诊断仪器也广泛使用此类器件,以确保患者治疗数据的安全持久保存,特别是在突发断电情况下仍能完整保留关键信息。此外,在汽车电子系统中,可用于记录车载黑匣子(Event Data Recorder)信息、ECU 配置参数和里程数据,提供高可靠性保障。航空航天与国防领域则利用其抗辐射特性和极端环境下的稳定性,用于飞行数据记录和控制系统日志。最后,在高端消费类电子产品如智能 POS 终端、打印机和网络设备中,该芯片可用于保存交易日志、打印队列和配置设置,提升系统响应速度和数据安全性。

替代型号

FM25V02A-GTR
  CY14MB101Q-SXIT
  ABFRAM1M

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CY14B101Q2-LHXIT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥99.75140卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式NVSRAM
  • 技术NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量1Mb
  • 存储器组织128K x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率40 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)