时间：2025/8/6 10:30:14
阅读：31
IXFX24N100Q3是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电压、高电流的应用而设计。该MOSFET采用了先进的硅技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能，使其非常适合用于高效率的电力转换系统。IXFX24N100Q3封装在一个TO-264的封装中，这种封装形式具备良好的散热能力和机械稳定性，适合在工业环境下使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：1000V
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：24A
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-264
导通电阻(RDS(on))：0.38Ω（最大值）
阈值电压(Vgs(th))：4.5V至6.5V
漏极-源极击穿电压(BVdss)：1000V
输入电容(Ciss)：1900pF
输出电容(Coss)：450pF
反向恢复时间(trr)：150ns
IXFX24N100Q3具有多项出色的电气和热特性。首先，它的高击穿电压能力（1000V）使其非常适合用于高电压的开关应用。其次，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流下较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，其TO-264封装提供了优良的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定的工作温度。
该MOSFET还具备较高的输入阻抗，使其驱动电路设计相对简单。同时，它具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，并适用于高频操作环境。其反向恢复时间（trr）较短，有助于减少整流电路中的损耗和电磁干扰（EMI）。
在可靠性方面，IXFX24N100Q3通过了严格的工业标准测试，确保在恶劣环境下的稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和高可靠性应用。
IXFX24N100Q3适用于多种高电压、高电流的应用场景。常见的应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制电路。在开关电源中，该MOSFET可作为主开关元件，提供高效率和高可靠性。在逆变器应用中，其高电压能力和快速开关特性使其非常适合用于DC-AC转换电路。此外，在电机驱动和工业控制系统中，IXFX24N100Q3能够提供稳定的功率输出，满足高性能控制需求。
STF24N100M, FGA24N100ANA
