时间：2025/9/13 21:23:16
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PMPB13UP 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP 封装。这款器件专为需要高效率和紧凑设计的低压功率转换应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8.8A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：13mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP
PMPB13UP 具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统效率。这种特性在高电流应用中尤为重要，因为它有助于降低功耗并减少热量产生。此外，该器件支持高达 8.8A 的连续漏极电流，适合需要高电流处理能力的应用。PMPB13UP 的 TSSOP 封装设计提供了良好的热性能，同时占用较小的 PCB 面积，非常适合空间受限的设计。该器件的栅极驱动电压范围宽广，能够在较低的栅极电压下稳定工作，从而兼容多种控制电路。另外，PMPB13UP 在 -55°C 至 150°C 的温度范围内保持稳定性能，适用于极端环境条件下的应用。其高可靠性使其在工业、汽车和消费电子领域中得到广泛应用。
该 MOSFET 还具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度。这使得它非常适合用于高频 DC-DC 转换器和脉宽调制（PWM）控制电路。此外，PMPB13UP 的设计优化了热阻，从而在高负载条件下也能保持良好的散热性能，避免了因过热导致的性能下降或器件损坏。
PMPB13UP 主要用于各类功率电子系统中，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）、服务器电源、笔记本电脑适配器以及便携式电子产品中的功率控制电路。由于其高效率和小型封装，它也常用于汽车电子系统，如电动助力转向、电动泵控制和车载充电器等应用。
Si2302DS, PMV30UN, FDS6680
