类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：80nC
　　封装类型：TO-252
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

NSPC392G50TRB1 MOSFET 具备一系列高性能特性，以满足现代电源管理设计的需求。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率，这对于高功率应用尤为重要。该器件的最大漏极电流可达60A，漏极-源极电压额定值为100V，能够支持广泛的高功率应用场景。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗并提高了响应速度。
　　NSPC392G50TRB1 的栅极电荷（Qg）为80nC，这意味着其在高速开关过程中所需的驱动功率较低，适用于高频率操作。该器件的封装为TO-252，提供了良好的热管理和电气性能，确保在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。其工作温度范围从-55°C到150°C，适应了广泛的环境条件，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定。其设计优化了电流分布和热阻，从而提高了器件的长期可靠性和耐用性。这些特性使得 NSPC392G50TRB1 成为电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用的理想选择。

NSPC392G50TRB1 MOSFET 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。例如，在同步整流电路中，它能够有效提高电源转换效率，降低能耗。在DC-DC转换器中，该器件的低导通电阻和高速开关特性有助于实现高效的电压转换，同时减少发热和功耗。在负载开关电路中，NSPC392G50TRB1 可用于控制大电流负载的开启和关闭，提供快速响应和稳定性能。此外，该MOSFET也广泛用于电机控制电路中，能够承受较高的电流和电压波动，确保电机驱动系统的稳定运行。
　　由于其宽广的工作温度范围和高热稳定性，NSPC392G50TRB1 也适用于工业自动化设备、电源管理系统、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及汽车电子系统等对可靠性要求较高的场合。

SiHH60N100EFD、IRF1405、FDP6030L、FDMS86101