时间：2025/4/28 9:54:04
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YSESD3Z05BT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的低电容双向 TVS（瞬态电压抑制器）二极管。该器件主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过压事件的影响。
它具有超低电容特性，非常适合高速数据线路的应用场景。此外，YSESD3Z05BT1G 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
工作电压：5V
反向 standoff 电压：5.8V
最大箝位电压：21V
峰值脉冲电流：9.1A
结电容：0.35pF
响应时间：≤1ps
封装形式：SOD-962 (X2B)
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
YSESD3Z05BT1G 的主要特性包括：
1. 双向 TVS 设计，提供对称的过压保护功能。
2. 极低的结电容（仅 0.35pF），适合高速信号线路，如 USB、HDMI 和以太网。
3. 快速响应时间（≤1ps），能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
4. 高浪涌耐受能力（峰值脉冲电流可达 9.1A）。
5. 汽车级可靠性，满足 AEC-Q101 标准要求。
6. 小型化封装（SOD-962），有助于节省 PCB 空间。
7.各种严苛环境。
YSESD3Z05BT1G 广泛应用于需要高可靠性和低电容特性的场合，典型应用包括：
1. 高速数据接口保护，如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 和以太网。
2. 汽车电子系统中的 ESD 保护，例如 CAN 总线、LIN 总线和车载信息娱乐系统。
3. 移动设备中的射频前端保护。
4. 工业控制设备中的通信端口保护。
5. 无线模块（如 Wi-Fi、蓝牙）的天线端口保护。
YSESD3Z05FT1G, YSESD3Z05CT1G
