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PBSS306PZ,135 发布时间 时间:2025/9/14 10:38:10 查看 阅读:9

PBSS306PZ,135 是由 NXP(恩智浦)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于低饱和电压(Low-VCEsat)晶体管系列。这款晶体管采用了先进的技术,旨在降低导通时的电压降,从而提高能效并减少发热。它通常用于高电流开关应用,如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。PBSS306PZ,135 采用 SOT-223 封装形式,具有良好的散热性能,适用于需要高可靠性和高效率的工业和汽车电子系统。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCE):40V
  最大集电极-基极电压(VCB):50V
  最大发射极-基极电压(VEB):5V
  最大集电极电流(IC):6A
  最大功耗(PD):1W
  工作温度范围:-65°C 至 150°C
  封装类型:SOT-223
  低饱和电压(Typ. VCEsat @ IC=6A, IB=0.3A):0.25V
  电流增益(hFE @ IC=3A, VCE=2V):110 至 800(根据等级不同)

特性

PBSS306PZ,135 是一款专为低饱和电压设计的晶体管,其主要特性体现在其优异的导通性能和高电流处理能力。该器件在导通状态下具有非常低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat),通常在 IC=6A 且 IB=0.3A 时仅为 0.25V,这大大降低了导通损耗,提高了系统的整体能效。
  此外,该晶体管支持高达 6A 的集电极电流,适用于需要高电流开关能力的应用场景。它的工作温度范围广泛,从 -65°C 到 150°C,适合在恶劣环境条件下使用。其 SOT-223 封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在 PCB 上,适用于表面贴装技术(SMT)工艺。
  该晶体管的 hFE(电流增益)范围较宽,根据不同的等级可以在 IC=3A、VCE=2V 条件下达到 110 至 800,从而满足不同电路设计对增益的需求。同时,其最大集电极-发射极电压为 40V,最大集电极-基极电压为 50V,具备良好的电压耐受能力。
  由于其优异的性能,PBSS306PZ,135 被广泛用于各种功率开关电路、DC-DC 转换器、马达驱动器、继电器驱动器和汽车电子系统中的高电流控制应用。

应用

PBSS306PZ,135 由于其低饱和电压和高电流承载能力,广泛应用于多个领域。其中,最典型的应用包括电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。在电源管理中,它可以用于高效率的开关元件,降低功耗并提高系统的稳定性。在 DC-DC 转换器中,该晶体管可用于实现高效的能量转换,尤其是在需要大电流输出的设计中。此外,它还常用于驱动继电器、直流电机、LED 阵列等高功率负载,适用于工业自动化、汽车电子和消费类电子产品。
  在汽车电子领域,PBSS306PZ,135 可用于车灯控制、电动窗驱动、冷却风扇控制等场景,其高可靠性和宽温度范围使其非常适合车载环境。在消费类电子产品中,它可用于电池供电设备的电源切换、充电控制和负载管理,提升设备的能效和续航能力。

替代型号

PBSS4041N,115; PBSS4041N,135; PN2222A; 2N3904; BC847; BC817

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PBSS306PZ,135参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4.1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)325mV @ 410mA,4.1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SC-73
  • 包装带卷 (TR)