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1N5385B 发布时间 时间:2025/12/23 13:20:33 查看 阅读:20

1N5385B是一种常见的高压硅雪崩整流二极管,属于1N53xx系列。该器件广泛应用于需要高电压整流、保护电路以及开关电源等场景。其设计采用了雪崩击穿技术,具备良好的浪涌电流吸收能力和稳定性。这种二极管在电力电子领域中非常流行,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

最大反向电压:700V
  正向电流(峰值):1A
  正向电压(典型值):1.1V
  反向漏电流:50uA(25°C时)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:DO-41或DO-15

特性

1N5385B具有高耐压能力,能够承受高达700V的反向电压,适合用于高压环境中的整流任务。
  它具备较低的正向导通压降,在大电流条件下仍能保持较高的效率。
  由于采用了雪崩整流技术,该二极管可以在瞬态高压下维持稳定运行,并且具有良好的抗浪涌性能。
  其封装坚固耐用,可适应较宽的工作温度范围,从而确保在极端条件下的可靠性。
  此外,该型号支持快速切换操作,非常适合高频应用场合。

应用

1N5385B常用于开关电源中的整流电路,以实现直流电的高效转换。
  它也广泛应用于过压保护电路中,为敏感元件提供防护功能。
  此外,该二极管还可用于逆变器、电机驱动器以及其他需要高压整流的设备。
  在家用电器、通信设备和汽车电子等领域,1N5385B同样有着重要用途。

替代型号

1N5385A, 1N5385C, MUR160

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1N5385B参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)170V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 122V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)380 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称1N5385BMSTR