时间：2025/9/14 15:41:18
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PMPB12UNEAX是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用设计，适用于需要低导通电阻和高开关性能的场合。PMPB12UNEAX采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低压应用中表现出色，具有较高的电流承载能力和较低的功率损耗。该器件封装为SOT-223，适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型电路设计中使用。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
最大连续漏极电流(Id)：4.4A
导通电阻(Rds(on))：0.012Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-223
PMPB12UNEAX的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)仅为0.012Ω，使其在低压电源应用中表现出色。
其次，PMPB12UNEAX具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达4.4A，适用于中等功率的开关应用。此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
该器件采用SOT-223封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，提高了生产效率并减少了PCB空间占用。
此外，PMPB12UNEAX具备良好的热稳定性，工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
PMPB12UNEAX广泛应用于各类电源管理系统，特别是在需要高效能和低功耗的场合。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等应用。
在汽车电子领域，PMPB12UNEAX可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车载信息娱乐系统（IVI）以及车身控制模块等，提供可靠的功率控制和高能效表现。
此外，该器件也适用于工业自动化设备、电机控制、LED照明驱动以及智能电表等应用场景，满足多种工业和消费电子产品的功率管理需求。
由于其SOT-223封装的紧凑尺寸和良好的散热性能，PMPB12UNEAX也非常适合用于空间受限的设计，如便携式设备和嵌入式系统。
Si2302DS, FDS6675, IRF7404, AO4406, NVTFS5C471NL
