时间：2025/5/27 18:05:05
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K9K8G08U0F-SIB0是三星(Samsung)公司生产的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术，主要用于存储应用。该芯片的存储容量为16GB（128Gb），采用Toggle DDR 2.0接口标准，工作电压为3.3V或1.8V。这款芯片广泛应用于固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、存储卡以及其他需要大容量存储的设备中。
其封装形式为BGA（球栅阵列封装），具有高密度和高性能的特点，能够满足现代电子设备对高速数据传输和大容量存储的需求。
容量：16GB (128Gb)
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：3.3V 或 1.8V
I/O电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：86
页面大小：8KB
块大小：512KB (数据)+ 40KB (开销)
擦写周期：3000 次（典型值）
数据保留时间：10年（在25°C条件下）
K9K8G08U0F-SIB0具备以下主要特性：
1. 高速数据传输：支持Toggle DDR 2.0接口，提供高达400MT/s的数据传输速率。
2. 大容量存储：单颗芯片即可提供16GB的存储空间，适合需要大容量存储的应用场景。
3. 可靠性高：经过优化的MLC技术确保了芯片在多次擦写循环后的数据可靠性。
4. 低功耗设计：支持1.8V I/O电压，降低整体功耗，提高能效。
5. 小型化封装：BGA封装使其适合用于空间受限的便携式设备。
6. 广泛的工作温度范围：支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适应各种恶劣环境。
K9K8G08U0F-SIB0适用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为主存储介质，提供大容量和高性能的数据存储。
2. USB闪存盘：用于制造高速USB存储设备。
3. 存储卡：如SD卡、microSD卡等，满足消费电子产品的存储需求。
4. 工业控制设备：在需要可靠性和高性能存储的工业领域中使用。
5. 网络设备：如路由器、交换机等需要嵌入式存储的设备。
6. 汽车电子：适用于汽车信息娱乐系统和导航系统的存储需求。
K9K8G08U1M-SIB0, K9K8G08U0M-SIB0
