时间：2025/8/5 13:53:19
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IXTM21N55 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。这款晶体管采用了先进的高压MOSFET技术，具备高耐压、高电流承载能力和良好的热稳定性。IXTM21N55 特别适用于工业电源、电机控制、UPS（不间断电源）系统以及各种需要高效功率转换的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：550V
最大漏极电流（ID）：21A
导通电阻（RDS(on)）：约0.27Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：48nC（典型值）
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
IXTM21N55 具备多项优良的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（550V）使其在高压电源转换系统中表现优异。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷较低，可实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，适用于高频开关应用。在热性能方面，IXTM21N55 采用了优化的封装设计，能够有效散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
另外，该器件具备良好的短路耐受能力，提高了系统在异常工况下的可靠性。同时，其栅极驱动要求较低，可与多种标准驱动电路兼容，简化了外围电路设计。
IXTM21N55 主要用于需要高压和高功率处理能力的电子系统中。常见的应用包括：工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及各种功率因数校正（PFC）电路。由于其优良的开关特性和高可靠性，该MOSFET也常用于高频电源转换器和电机控制模块中。
STW21NM50, FQA21N50, FDPF21N50
