PMPB10XNEAX 时间：2025/9/14 8:59:54 阅读：10

PMPB10XNEAX是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率转换和管理的场景。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关和电池供电设备等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω（Vgs=10V）
　　最大功耗(Pd)：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

PMPB10XNEAX具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子设计中具有很高的实用价值。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的最大漏源电压为100V，能够在中高功率应用中稳定工作。栅源电压范围为±20V，支持较高的驱动电压，确保快速开关动作，减少开关损耗。
　　其次，PMPB10XNEAX采用先进的沟槽式技术，提供了更高的电流密度和更低的寄生电感，使其在高频开关应用中表现出色。此外，该器件的热性能优异，支持较高的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　再者，该MOSFET的封装形式为PowerFLAT 5x6，这是一种紧凑型表面贴装封装，具有优良的散热性能，便于PCB布局和自动化生产。PowerFLAT封装减少了器件的整体尺寸，同时保持了良好的电气性能和热管理能力，非常适合空间受限的设计应用。
　　最后，PMPB10XNEAX还具备较高的可靠性和稳定性，满足工业级和汽车级应用的要求。其设计符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的开发。

应用

PMPB10XNEAX适用于多种功率管理和转换应用。在电源管理领域，该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和稳压电源模块中，以提高能量转换效率并减少发热。在电池供电设备中，PMPB10XNEAX可用于电池保护电路、充放电控制电路和低功耗开关电路，帮助延长电池使用寿命。
　　此外，该器件也广泛应用于工业自动化系统、电机驱动器和功率放大器中，作为高效的功率开关元件。在LED照明系统中，PMPB10XNEAX可用于调光控制和恒流驱动电路，提供稳定的电流输出和高能效表现。
　　在汽车电子领域，PMPB10XNEAX可用于车载电源系统、车载充电器和车身控制模块等应用，满足汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的需求。