器件类型：GaN HEMT射频功率晶体管
　　封装类型：气腔陶瓷封装（Air Cavity Ceramic Package）
　　漏极电流（Id）：最大连续漏极电流为6A
　　漏源电压（Vds）：最高工作电压为65V
　　工作频率范围：适用于2GHz至6GHz宽带应用
　　输出功率（Pout）：在典型应用条件下可提供超过350W的射频输出功率
　　增益：典型小信号增益为20dB以上
　　效率：典型效率超过60%
　　热阻：结到壳热阻（Rth jc）约为0.28°C/W

VS3506AP采用了先进的GaN on SiC（碳化硅基氮化镓）技术，具备高功率密度和优异的热性能，能够在高电压和高频条件下稳定工作。该器件具有宽工作频率范围，适用于2GHz至6GHz的宽带射频功率放大应用。VS3506AP的高效率特性使其在高功率输出条件下仍能保持较低的功耗和热量，降低了对散热系统的要求。其高增益特性减少了前级放大器的复杂性，适用于多种高要求的射频系统。此外，该器件具有良好的线性度和稳定性，适合用于通信基站、雷达系统和工业测试设备等应用场景。
　　该晶体管的封装设计优化了射频性能和散热能力，采用气腔陶瓷封装，有助于降低寄生效应并提高高频性能。其坚固的结构设计使其能够承受较高的电压驻波比（VSWR），提高了在恶劣工作环境下的可靠性。VS3506AP还具备良好的抗静电和抗瞬态过载能力，适用于需要高稳定性和高可靠性的应用场合。

VS3506AP广泛应用于各种高功率射频系统，包括但不限于：通信基站（如5G无线通信基础设施）、雷达系统（如军用和民用雷达发射机）、工业测试与测量设备（如信号发生器和频谱分析仪）、广播设备（如数字电视和调频广播发射机）以及电子战和防御系统等。其宽带特性使其能够适应多种频率范围的射频功率放大需求。

QPD1013、CGH40025、GaN0403PB