PMPB100XPEAX是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款晶体管专为高效率、高频率的开关应用而设计,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等多种电子系统。PMPB100XPEAX采用先进的MOSFET技术,具备低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和高热稳定性等优点,使其在高功率密度应用中表现出色。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):8.5A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大值100毫欧(在10V Vgs下)
功耗(Ptot):2.5W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:PowerFLAT 5x6
极间电容(Ciss):约1200pF
开关时间:导通时间约12ns,关断时间约25ns
PMPB100XPEAX具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻可显著降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广,支持常见的10V标准驱动电路,确保在各种应用场景中实现良好的导通性能。此外,其封装采用PowerFLAT 5x6设计,具有优良的散热能力,能够在高电流和高功率环境下稳定运行。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,适合在恶劣工作条件下使用。由于其快速的开关特性,PMPB100XPEAX非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器,减少开关损耗并提高整体系统效率。此外,其小型封装设计有助于节省PCB空间,适合高密度电子设备的应用需求。
PMPB100XPEAX广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器以及电源管理单元(PMU)。由于其优异的导通性能和高频开关能力,该MOSFET也常用于笔记本电脑、服务器、通信设备和工业控制设备中的电源模块设计。
此外,PMPB100XPEAX还可用于LED照明驱动器、电源适配器和高效能电源供应器等应用。其高可靠性和热稳定性使其成为汽车电子和工业自动化系统中的理想选择。
STD10NM60N, IPB10N06S4-03, FDPF085N10A