KQ03SL-4R 时间：2025/9/5 5:36:33 阅读：5

KQ03SL-4R 是一款由韩国制造商 KEC（Korea Electronics）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等中低功率应用。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　漏极电流 Id：100A（最大）
　　导通电阻 Rds(on)：4.0mΩ（典型值）@Vgs=10V
　　功率耗散：83W（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KQ03SL-4R 具有低导通电阻（Rds(on)）特性，这使得在高电流工作条件下可以有效降低功率损耗并提高系统效率。其 N 沟道结构支持快速开关操作，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等对效率和响应速度有要求的应用。该器件采用 TO-252 封装，具备良好的热管理和焊接稳定性，适用于表面贴装工艺。
　　KQ03SL-4R 的栅极驱动电压范围为 ±20V，典型工作电压为 10V，确保了与大多数驱动 IC 的兼容性。其高电流容量（100A）使其适用于高负载应用，如电动工具、电机控制器和电源管理模块。此外，该 MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过载耐受性，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　在热性能方面，KQ03SL-4R 的 TO-252 封装设计有助于有效散热，确保在高功率密度设计中仍能保持稳定运行。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适合工业级和汽车电子应用环境。

应用

KQ03SL-4R 适用于多种电源管理和功率控制应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、LED 驱动器、电源分配系统、工业自动化设备以及汽车电子模块等。由于其高电流能力和低导通电阻，它在需要高效率和紧凑设计的电路中表现出色，是中高功率应用的理想选择。