PMN55ENEX 时间：2025/9/14 8:00:27 阅读：12

PMN55ENEX 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用先进的 Trench 工艺技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理单元等场合。PMN55ENEX 采用无铅环保的封装形式，符合 RoHS 标准，适用于工业级和消费类电子产品。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.1A
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN2020BD-8（SOT1123）

特性

PMN55ENEX MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其 RDS(on) 在 VGS=10V 时仅为 55mΩ，确保了在负载变化时依然保持稳定的性能表现。此外，该器件具备良好的热管理能力，采用了高导热性的封装材料和优化的内部结构设计，使得在高功率密度应用中能够有效散热，延长器件寿命。
　　另一个显著特点是其高栅极电压耐受能力，最大栅源电压为 ±20V，使其适用于多种栅极驱动电路设计，并增强了在电压波动环境下的稳定性。此外，PMN55ENEX 具有快速开关特性，能够支持高频操作，适用于高效率的 DC-DC 转换器和同步整流电路。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力和高可靠性，经过严格的测试和验证，确保在严苛的工作环境下仍能保持稳定性能。此外，PMN55ENEX 符合 RoHS 标准并采用无铅封装，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

应用

PMN55ENEX 广泛应用于多个领域，特别是在需要高效能功率管理的系统中。其典型应用场景包括同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及便携式电子设备的电源管理模块。由于其低导通电阻和高效率特性，它在电源转换效率要求较高的场合，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中被广泛采用。
　　此外，PMN55ENEX 还适用于工业自动化设备、传感器模块、LED 照明驱动电路以及各类电源适配器中。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动工具和电池供电设备中的功率开关和控制电路。