时间：2025/8/2 6:44:54
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DMN3055LFDB-7 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理和功率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和良好的热稳定性。这款 MOSFET 采用 SOT-223 封装，适用于表面贴装工艺，适合用于消费类电子产品、工业控制、电源适配器和 DC-DC 转换器等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25℃：4.7A
功率耗散（Pd）：1.5W
导通电阻 Rds(on)：@4.5V Vgs，最大为 47mΩ
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：SOT-223
DMN3055LFDB-7 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。该器件在 4.5V 的栅极驱动电压下即可实现较低的 Rds(on)，这使其非常适合用于由锂电池供电的设备或低压控制系统中。
此外，该 MOSFET 具有良好的热性能，SOT-223 封装提供了良好的散热能力，能够在高电流条件下保持稳定运行。同时，该器件的封装尺寸较小，适合对空间要求较高的便携式设备应用。
DMN3055LFDB-7 还具备较强的耐用性和可靠性，具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下保持器件安全。其栅极氧化层设计可承受高达 ±20V 的栅源电压，提高了器件在复杂电磁环境下的稳定性。
该器件符合 RoHS 环保标准，无卤素，适用于绿色电子产品制造。
DMN3055LFDB-7 适用于多种电源管理与功率控制场景，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、LED 驱动电路、电机控制电路以及各种便携式电子设备中的功率开关应用。
在消费电子领域，该器件可广泛用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑和无线充电设备中的电源管理模块。在工业控制方面，它可用于 PLC 控制器、工业电源模块以及自动化设备中的开关电源系统。
由于其良好的热稳定性和高效率，DMN3055LFDB-7 也常被用于 LED 照明系统中的恒流驱动电路和电源转换模块，以及电机驱动电路中的 H 桥结构，实现高效、稳定的功率控制。
Si2302DS, FDN305N, 2N7002K, BSS138
