PMN55ENEAX 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的高压制程技术,具备高耐压、低导通电阻和优异的开关性能。PMN55ENEAX通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种高效率功率应用中。该MOSFET采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装,有助于节省PCB空间并提高热性能。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):55V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):100A(在Tc=25°C)
导通电阻(RDS(on)):最大值为8.5mΩ(在VGS=10V时)
功耗(Ptot):100W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装:PowerFLAT 5x6
PMN55ENEAX 具备多项优异特性,适合高效率功率应用。
首先,其漏源电压(VDS)为55V,能够支持中高压电源系统,适用于诸如DC-DC转换器、电池管理系统和工业电源等应用。栅源电压最大为±20V,具备良好的栅极保护能力,防止过压损坏。
其次,该MOSFET的导通电阻RDS(on)最大为8.5mΩ,在VGS=10V时具有极低的导通损耗,有助于提高系统效率并减少散热需求。此外,其连续漏极电流可达100A,在高电流负载条件下仍能保持稳定运行。
PMN55ENEAX采用PowerFLAT 5x6封装,具备优异的热管理性能,能够在紧凑空间中实现高效散热。该封装无引脚设计也有助于提高机械稳定性和自动化焊接的可靠性。
该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,适用于各种严苛环境条件,包括工业控制、汽车电子和能源管理系统。
PMN55ENEAX 广泛应用于多种功率电子系统中,尤其适合需要高效率和高可靠性的场合。常见的应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电源管理系统以及高功率负载开关。此外,该器件也可用于服务器电源、电信设备、工业自动化和汽车电子系统中,提供高效的功率控制和稳定的电气性能。
STM55N10F、IRF1324S-7PPBF、SiR178DP-T1-GE3