时间：2025/9/14 15:10:24
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PMN55ENEAX 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的高压制程技术，具备高耐压、低导通电阻和优异的开关性能。PMN55ENEAX通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种高效率功率应用中。该MOSFET采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装，有助于节省PCB空间并提高热性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：55V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（在VGS=10V时）
功耗（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装：PowerFLAT 5x6
PMN55ENEAX 具备多项优异特性，适合高效率功率应用。
首先，其漏源电压（VDS）为55V，能够支持中高压电源系统，适用于诸如DC-DC转换器、电池管理系统和工业电源等应用。栅源电压最大为±20V，具备良好的栅极保护能力，防止过压损坏。
其次，该MOSFET的导通电阻RDS(on)最大为8.5mΩ，在VGS=10V时具有极低的导通损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。此外，其连续漏极电流可达100A，在高电流负载条件下仍能保持稳定运行。
PMN55ENEAX采用PowerFLAT 5x6封装，具备优异的热管理性能，能够在紧凑空间中实现高效散热。该封装无引脚设计也有助于提高机械稳定性和自动化焊接的可靠性。
该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于各种严苛环境条件，包括工业控制、汽车电子和能源管理系统。
PMN55ENEAX 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适合需要高效率和高可靠性的场合。常见的应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电源管理系统以及高功率负载开关。此外，该器件也可用于服务器电源、电信设备、工业自动化和汽车电子系统中，提供高效的功率控制和稳定的电气性能。
STM55N10F、IRF1324S-7PPBF、SiR178DP-T1-GE3
