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PMN55ENEAX 发布时间 时间:2025/9/14 15:10:24 查看 阅读:27

PMN55ENEAX 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的高压制程技术,具备高耐压、低导通电阻和优异的开关性能。PMN55ENEAX通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种高效率功率应用中。该MOSFET采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装,有助于节省PCB空间并提高热性能。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):55V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):100A(在Tc=25°C)
  导通电阻(RDS(on)):最大值为8.5mΩ(在VGS=10V时)
  功耗(Ptot):100W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装:PowerFLAT 5x6

特性

PMN55ENEAX 具备多项优异特性,适合高效率功率应用。
  首先,其漏源电压(VDS)为55V,能够支持中高压电源系统,适用于诸如DC-DC转换器、电池管理系统和工业电源等应用。栅源电压最大为±20V,具备良好的栅极保护能力,防止过压损坏。
  其次,该MOSFET的导通电阻RDS(on)最大为8.5mΩ,在VGS=10V时具有极低的导通损耗,有助于提高系统效率并减少散热需求。此外,其连续漏极电流可达100A,在高电流负载条件下仍能保持稳定运行。
  PMN55ENEAX采用PowerFLAT 5x6封装,具备优异的热管理性能,能够在紧凑空间中实现高效散热。该封装无引脚设计也有助于提高机械稳定性和自动化焊接的可靠性。
  该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,适用于各种严苛环境条件,包括工业控制、汽车电子和能源管理系统。

应用

PMN55ENEAX 广泛应用于多种功率电子系统中,尤其适合需要高效率和高可靠性的场合。常见的应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电源管理系统以及高功率负载开关。此外,该器件也可用于服务器电源、电信设备、工业自动化和汽车电子系统中,提供高效的功率控制和稳定的电气性能。

替代型号

STM55N10F、IRF1324S-7PPBF、SiR178DP-T1-GE3

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PMN55ENEAX参数

  • 现有数量2,408现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.96411卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 3.6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)450 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)667mW(Ta),7.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457