时间：2025/9/14 4:19:20
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PMN25ENEA是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率控制应用。这款MOSFET采用先进的技术设计，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。PMN25ENEA通常采用DPAK（TO-252）封装形式，适合用于表面贴装技术（SMT）的电路板组装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：25V
最大漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：约5.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V至2.5V
最大功耗（Ptot）：50W
封装类型：DPAK（TO-252）
PMN25ENEA的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗。该MOSFET的Rds(on)典型值仅为5.5mΩ，在高温环境下仍能保持较低的电阻值，从而提高整体效率。此外，PMN25ENEA具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达40A，适合用于高功率密度的设计。
该器件还具备良好的热稳定性，采用了优化的封装设计，有助于提高散热性能，延长使用寿命。PMN25ENEA的工作温度范围广泛，适用于工业级温度范围（-55°C至175°C），确保在各种恶劣环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持1V至2.5V的阈值电压，适合与多种控制IC配合使用，提供更灵活的设计方案。
另外，PMN25ENEA具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下提供一定的保护，增强系统的可靠性。其封装设计符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品制造。
PMN25ENEA广泛应用于各类电力电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制和电池管理系统等。在DC-DC转换器中，PMN25ENEA可以作为主开关元件，提供高效率和低损耗的功率转换。在同步整流器中，该MOSFET的低导通电阻特性有助于提高整流效率，减少发热。在负载开关应用中，PMN25ENEA可以实现快速开关操作，提供过流和过温保护功能。此外，它还适用于电机驱动电路，能够承受较高的电流和频繁的开关操作，确保电机控制系统的稳定性和响应速度。由于其优异的电气特性和热管理能力，PMN25ENEA也常用于高性能电源管理和电池供电设备。
STD25NE06LT4, STN25NE06T, FDS6675
