时间：2025/12/23 21:57:27
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PMGD280UN,115 是一款高性能的功率MOSFET器件，采用TO-263封装形式。该元器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。其主要功能是作为电子开关或放大器使用，能够承受较高的电压和电流。PMGD280UN,115 具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高了整体效率并减少了功率损耗。
该型号属于沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），具有N沟道特性。其设计使得它非常适合在高频开关应用中使用，同时也能满足对散热性能要求较高的场景。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻：2.7mΩ
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
PMGD280UN,115 的主要特点是低导通电阻，这使其在高负载电流条件下仍然保持较低的功率损耗。其次，该器件拥有快速开关能力，能够有效降低开关损耗。此外，PMGD280UN,115 的热稳定性较好，在高温环境下依然可以可靠运行。
另外，由于采用了TO-263封装，这种封装方式具备良好的散热性能，进一步提升了器件的工作可靠性。该器件还集成了保护功能，例如过流保护和短路保护，增强了电路的安全性。
PMGD280UN,115 可以用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动控制
- UPS 系统
- 工业自动化设备
- 太阳能逆变器
由于其出色的电气特性和封装优势，PMGD280UN,115 成为许多需要高效功率转换场合的理想选择。
IRF2807ZPBF
STP28NF06L
FDP18N10B
