类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.9mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：89nC（典型值）
　　封装形式：TO-247AD
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

TMPC0604H-100MG-D具备多项先进特性，确保其在高功率应用中的可靠性和效率。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用了东芝先进的U-MOS VIII-H工艺，优化了导通和开关性能之间的平衡。此外，该MOSFET具有较高的电流处理能力，能够在高负载条件下稳定运行。
　　该器件的封装设计（TO-247AD）提供了良好的散热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，适用于多种栅极驱动IC。该MOSFET还具备较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的工业标准测试，具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发过载或瞬态条件下保持稳定运行。此外，其高抗浪涌电流能力使其在电机驱动和电源转换应用中具有出色的耐用性。

TMPC0604H-100MG-D广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。典型应用场景包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆（EV）充电系统以及工业电机驱动器。由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于服务器电源、通信设备电源模块和光伏逆变器等对性能要求较高的系统中。

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　　 "TPH1R406T,L1QFM",
　　 "TPH1R406NL,B1QFM",
　　 "TPH1R406N,L1QFM"
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