型号：EMD1100Z
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：11A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：44A
　　导通电阻(RDS(on))：11mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：1300pF @ VDS=15V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

EMD1100Z采用东芝专有的先进沟槽技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为11mΩ，在VGS=4.5V时为13mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能源转换效率。这种低RDS(on)特性使其非常适合用于大电流开关应用，例如电池供电系统中的负载开关、同步整流以及H桥电机驱动电路。器件的低导通电阻还意味着在相同功耗条件下可以允许更高的工作电流，从而提升系统的输出能力。
　　该MOSFET具有优良的开关特性，包括快速的开启和关断时间，有助于减少开关过程中的能量损耗，尤其是在高频工作环境下表现突出。其输入电容Ciss约为1300pF，在同类产品中处于较低水平，这意味着驱动电路所需的驱动功率较小，能够与大多数PWM控制器或逻辑门电路良好匹配。此外，EMD1100Z的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了在低电压控制信号下也能可靠地导通，支持3.3V甚至更低电压的数字控制系统直接驱动。
　　从可靠性角度看，EMD1100Z具备较强的热稳定性和过载承受能力。器件的最大结温可达+150°C，并且在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其SOP-8封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局和内部连接方式提升了散热效率。部分版本可能带有暴露焊盘（exposed pad），可通过PCB上的热过孔将热量传导至地层或散热区域，进一步增强热管理能力。
　　EMD1100Z还集成了多种保护机制，包括栅极氧化层抗静电设计，可承受一定级别的ESD冲击，提高生产过程中的良品率和现场使用的稳定性。尽管未内置体二极管钳位保护，但在多数应用中可通过外部添加续流二极管来解决感性负载带来的反向电压问题。总体而言，EMD1100Z是一款高性能、高性价比的N沟道MOSFET，适用于对效率、尺寸和成本有较高要求的现代电子系统。

EMD1100Z常用于各类中小型功率电子系统中，典型应用场景包括但不限于：便携式电子设备的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和移动电源中的负载开关与电池保护电路；直流-直流（DC-DC）降压或升压转换器中的主开关或同步整流器，尤其在多相VRM架构中发挥关键作用；工业控制领域的低电压电机驱动器，例如步进电机或直流无刷电机的H桥驱动单元；LED照明驱动电源中的恒流调节开关元件；以及各类消费类电子产品中的热插拔控制和电源排序电路。
　　在通信设备中，EMD1100Z可用于隔离不同电源域之间的供电路径，实现上电时序控制和故障隔离功能。由于其具备良好的瞬态响应能力和较低的导通压降，也适合用于服务器或网络设备中的冗余电源切换和OR-ing电路设计。此外，在汽车电子辅助系统（非安全关键类）中，如车载信息娱乐系统或USB充电模块，EMD1100Z也能胜任低压大电流开关任务。
　　得益于其小型化封装和表面贴装特性，EMD1100Z非常适合自动化贴片生产线，广泛应用于高密度PCB设计中。在节能要求较高的绿色能源产品中，如太阳能充电控制器或小型逆变器，该器件也有助于提升整体能效。总之，凡是需要高效、紧凑且可靠的N沟道MOSFET解决方案的场合，EMD1100Z都是一个值得考虑的选择。

TPSMB1100Z,TSM201A-S,NVMFS4C03NL,SISS10DN