BUZ54 时间：2025/9/7 11:15:02 阅读：19

BUZ54是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率开关的场合。该器件由Siemens（西门子）制造，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。BUZ54采用TO-220封装，便于散热并确保在高功率条件下的稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：约0.022Ω（典型值）
　　最大功耗(Ptot)：150W
　　工作温度范围：-55℃～+175℃
　　封装形式：TO-220
　　开启阈值电压(Vgs(th))：2V～4V

特性

BUZ54具有低导通电阻的特点，这使其在导通状态下功耗更低，从而提高了整体效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率应用，例如电源转换器和电机驱动器。由于采用了先进的平面技术，BUZ54具备良好的热稳定性，即使在高负载条件下也能保持较低的温度上升。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统响应速度。BUZ54的栅极设计允许其在较宽的栅压范围内可靠工作，增强了其在不同电路设计中的适应性。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，有助于防止因瞬态过压造成的损坏。

应用

BUZ54常用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池充电器、逆变器、电机控制电路以及工业自动化系统中的负载开关。由于其高电流能力和低导通电阻，它也适用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，例如电动车窗控制、起动系统和车载充电设备。此外，BUZ54还可用于音频功率放大器和不间断电源（UPS）系统。