时间：2025/5/21 21:33:59
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PMEG60T20ELR 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于高频开关应用以及需要高效功率转换的场景。
该 MOSFET 的设计使其非常适合于工业、消费类电子产品中的电源管理模块，如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池保护电路等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：20A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：58nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
PMEG60T20ELR 提供了极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。
其封装形式 TOLL 具有出色的散热性能，能够承受更高的功率密度。
此外，该 MOSFET 具备较高的雪崩能力和 ESD 保护，增强了在严苛环境下的可靠性。
该器件支持高频操作，可显著降低电磁干扰，并且与控制器 IC 配合良好，适合紧凑型设计需求。
PMEG60T20ELR 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机控制与驱动
- 电池管理系统（BMS）
- 工业自动化设备
- 家用电器中的功率调节电路
PMEG60T20ELH, IRFB3207, FDP6700N10
