GA1104AF 时间：2025/7/28 14:22:15 阅读：3

GA1104AF 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的小信号场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频放大、开关和信号处理应用。这款晶体管采用 N 沟道增强型 MOSFET 设计，适用于需要低功耗和高速性能的电子设备。

参数

类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID): 100 mA
　　最大漏源电压 (VDS): 50 V
　　最大栅源电压 (VGS): ±20 V
　　最大功耗 (PD): 150 mW
　　过渡频率 (fT): 100 MHz
　　封装类型: SOT-23
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C

特性

GA1104AF 具有出色的高频性能，适合用于射频（RF）和中频（IF）放大电路。其低输入电容和高过渡频率（fT）使其在高频应用中表现出色。此外，该器件的低漏电流特性有助于减少功耗，提高能效。
　　GA1104AF 的封装形式为 SOT-23，这种小型封装不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用。该晶体管的高可靠性使其在工业控制、消费电子和通信设备中广泛应用。
　　此外，GA1104AF 在极端温度下仍能保持稳定性能，适用于各种恶劣环境。其 ±20 V 的栅源电压耐受能力也提供了更大的设计灵活性。

应用

GA1104AF 主要应用于高频放大器、信号处理电路、开关电路以及低功耗电子设备。由于其优异的高频响应和低噪声特性，该器件常用于无线通信设备、音频放大器、传感器接口电路以及便携式电子产品中。
　　在无线通信系统中，GA1104AF 可用于射频前端模块中的低噪声放大器（LNA），以提高接收信号的灵敏度。在工业控制系统中，它可以用于传感器信号的前置放大和处理。此外，该晶体管也可用于电源管理电路中的开关元件，提供高效的能量转换。