时间：2025/5/22 18:34:41
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NGTB40N60L2WG是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体分立器件部门）生产的高压MOSFET。该器件采用N沟道增强型技术，专为高频开关和功率转换应用设计。其封装形式为LFPAK56D（Power-SO8），具备极低的导通电阻和优秀的开关性能。
这款MOSFET具有600V的额定漏源电压，适合高耐压场景，例如LED驱动、DC-DC转换器、电机控制等应用领域。通过优化的芯片设计，它在高频工作条件下能够显著降低功耗并提升效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：90mΩ
栅极电荷（典型值）：25nC
输入电容（典型值）：1080pF
总功耗：23W
工作温度范围：-55℃至+175℃
NGTB40N60L2WG的主要特性包括：
1. 高击穿电压：600V，确保在高电压环境下稳定运行。
2. 超低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻仅为90mΩ，从而减少传导损耗。
3. 快速开关能力：具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于实现高频操作。
4. 热稳定性强：支持最高结温达175℃，适应恶劣环境。
5. 小型化封装：LFPAK56D封装节省PCB空间，同时提供出色的散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
NGTB40N60L2WG适用于多种功率电子应用，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流功能。
2. DC-DC转换器和PFC电路中的高效功率开关。
3. 电动车及工业电机控制中的逆变器模块。
4. LED驱动器中的负载开关或调光控制。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
6. 其他需要高耐压和低损耗的功率转换场景。
NTBG40N60L2G, IRFB4110TRPBF
