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PMEG040V050EPDZ 发布时间 时间:2025/9/14 7:46:11 查看 阅读:5

PMEG040V050EPDZ是一款由Nexperia(安世半导体)生产的高性能肖特基势垒整流器,采用无铅、环保的DFN2020D-3封装形式。该器件主要针对低压降和高效率的电源转换应用设计,具有低正向压降、高浪涌电流能力和快速开关特性,适用于各类电源管理系统,包括电池充电、DC-DC转换器和负载开关等。PMEG040V050EPDZ的额定电压为40V,最大平均整流电流为0.5A,能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型:肖特基二极管
  额定电压:40V
  额定电流:0.5A
  封装类型:DFN2020D-3
  正向压降(@100mA):约0.25V
  反向漏电流(@25°C):≤1μA
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-65°C ~ 150°C
  热阻(Rth(j-l)):约250 K/W
  结电容(@0V):约20pF

特性

PMEG040V050EPDZ具备多项优异的电气和机械特性,使其在多种应用中表现出色。首先,该器件采用了先进的肖特基势垒技术,具有非常低的正向压降(VF),在100mA电流下仅为0.25V左右,从而显著降低了功率损耗,提高了系统效率。这对于电池供电设备和需要高能效比的电源系统尤为重要。
  其次,PMEG040V050EPDZ在封装设计上采用了紧凑的DFN2020D-3封装,尺寸小巧,便于在高密度PCB布局中使用。同时,该封装具有良好的散热性能,有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
  该器件还具有较高的浪涌电流承受能力,能够在瞬态负载条件下保持稳定工作,从而增强系统的鲁棒性。此外,其反向漏电流在25°C下低于1μA,确保在低功耗模式下不会产生过多的漏电损耗。
  由于采用无铅封装和符合RoHS标准的材料,PMEG040V050EPDZ完全满足现代电子设备对环保和可持续发展的要求。其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)也使其适用于各种严苛环境下的应用,如工业控制、汽车电子和便携式消费电子产品。

应用

PMEG040V050EPDZ广泛应用于多个领域,包括但不限于以下几种典型应用场景。首先,它常用于电池管理系统中,作为防止电池反向放电的保护二极管,其低正向压降特性有助于延长电池续航时间。
  其次,在DC-DC转换器中,PMEG040V050EPDZ可作为同步整流器的替代方案,或者作为输出整流器使用,提升整体转换效率。此外,它也适用于电源多路复用电路,用于选择主电源与备用电源之间的切换。
  在负载开关应用中,PMEG040V050EPDZ可用于隔离不同的电源域,防止反向电流流动,提高系统的安全性和稳定性。此外,该器件还适用于USB充电端口、移动电源(Power Bank)以及低功耗物联网(IoT)设备的电源管理模块。

替代型号

PMEG040V050EPDX、PMEG040V050EQD、PMEG040V050EPE、PMEG040V050ELP

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PMEG040V050EPDZ参数

  • 现有数量2,110现货
  • 价格1 : ¥4.93000剪切带(CT)1,500 : ¥1.92377卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)40 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)520 mV @ 5 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)13 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏120 μA @ 40 V
  • 不同?Vr、F 时电容395pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-277,3-PowerDFN
  • 供应商器件封装CFP15
  • 工作温度 - 结175°C(最大)