时间：2025/5/7 18:08:19
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IPB180N10S402ATMA1 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沃型功率 MOSFET，采用 TO-247-3 封装形式。该器件专为高效率和高性能的开关应用设计，适用于工业、汽车和可再生能源领域。其卓越的导通电阻和低栅极电荷特性使其成为高效电源转换的理想选择。
这款 MOSFET 的额定电压为 100V，连续漏极电流可达 180A（在特定条件下），并具备出色的热性能和电气稳定性。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：180A
最大栅源电压：±20V
典型导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ
栅极电荷（Qg）：115nC
反向恢复时间（trr）：95ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了更低的传导损耗，从而提高了整体系统效率。
2. 超低的栅极电荷（Qg）使得开关损耗得以减少，适合高频开关应用。
3. 快速的反向恢复时间（trr）有效降低了开关噪声和能量损失。
4. 高额定电流能力（180A）支持大功率应用需求。
5. 工作结温范围宽广（-55°C 至 +175°C），能够在极端环境下稳定运行。
6. 具备优异的雪崩能力和鲁棒性，增强了器件的可靠性和耐用性。
1. 工业电机驱动和能源领域的太阳能逆变器和储能系统
3. 高效 DC-DC 转换器和开关电源（SMPS）
4. 电动汽车（EV）牵引逆变器
5. 大功率不间断电源（UPS）
6. 焊接设备和感应加热装置
7. 高频硬/软开关拓扑中的功率级
IPW180N10S4L2G, IRFB4110PbF
